乔治·史密斯，这位1930年出生在美国纽约的杰出科学家，于宾夕法尼亚大学完成了他的学士学位，随后在芝加哥大学进一步深造，取得了硕士和博士学位1959年取得博士学位后，他投身于美国科技巨头贝尔实验室，开始了他的科研生涯起初，史密斯的研究专注于半导体的电学特性和能带结构，为固态物理学领域奠定了基础。
乔治·史密斯，这位1930年出生在美国纽约的杰出科学家，于宾夕法尼亚大学完成了他的学士学位，随后在芝加哥大学进一步深造，取得了硕士和博士学位1959年取得博士学位后，他投身于美国科技巨头贝尔实验室，开始了他的科研生涯起初，史密斯的研究专注于半导体的电学特性和能带结构，为固态物理学领域奠定了基础。
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